Hva er en FET Latch-Up?

FET er en forkortelse for felteffekttransistor, en type elektronisk anordning som styrer strømmen av elektrisk strøm gjennom en krets. Den enkleste type FET er en spenningsstyrt motstand, karakterisert ved at motstandselementet er en stang av silisium. Uttrykket FET låsen opp refererer til en ødeleggende høy strømtilstand som kan utløses ved visse elektriske forhold som virker på komponentene i FET. FET klinke-up hindrer vanligvis normal krets kontroll.

Semiconductor

En FET er sammensatt av to typer halvledere krystall - materialer som kan lede strøm, men veldig dårlig - kjent som n-type og p-type materialer. To terminaler, eller elektroder, som er kjent som avløpet og kilden, er forbundet med n-type materiale, mens en tredje terminal, kjent som port, er koblet til p-type materiale. Den strøm som flyter mellom kilden og avløpet blir styrt av et elektrisk felt skapt av en spenning som påtrykkes mellom kilde og port.

Forårsake

FET klinke-up oppstår når fire alternerende n-type og p-type områder er brakt nær hverandre, slik at de effektivt danner to bipolare transistorer - transistorer som bruker både positive og negative ladningsbærere - kjent som NPN eller PNP transistorer. Den elektriske strøm tilføres basis til den første transistor forsterkes og føres til den andre transistor. Dersom utgangsstrømmen av begge transistorene er større enn inngangsstrømmen - eller med andre ord, den nåværende "gain" er større enn 1 - strømmen gjennom begge av dem øker.

effekter

FET låsen opp fører til overdreven spredning av makt og feil logikk i det berørte gate, eller porter. Overdreven energitap genererer mye varme, noe som kan ødelegge FET helt i ytterpunktene tilfeller. FET klinke-up er derfor svært uønsket og forebygging har blitt en stor designproblem, spesielt i moderne transistorer. Moderne transistorer har krympet til størrelser så små som 59 mikro inches eller 59 milliondeler av en tomme, i et forsøk på å øke kretsen tetthet og forbedre den generelle ytelsen.

Forebygging

En FET er det som er kjent som et flertall bæreinnretning. Med andre ord, blir strømmen utført av majoritetsbære art - enten negativt ladede partikler, kalt elektroner, eller positivt ladede bærere, kalt hull - avhengig av den nøyaktige utformingen av FET. FET klinke-up kan unngås ved separering av n-type og p-type materiale med FET struktur. Separasjon oppnås ofte ved etsing en dyp, smal grøft fylt med isolerende materiale mellom n-type og p-type materialer.