Grunnleggende om MOSFET kanaler
En Metal Oxide Semiconductor felteffekttransistor (MOSFET) er en solid state enhet som brukes til å konstruere tettpakkede digitale kretser på grunn av sin lave spenning og varmespredning krav. Selv om disse anordninger utføre tilsvarende koblings- og forsterknings oppgaver til sine bipolare Cousins, den måte på hvilken ledningsevne styres er vesentlig forskjellige. Motstanden av halvledere kanal mellom emitter og fører styres av spenning på gate.
MOSFET Channel Design
En felteffekttransistor (FET) har ingen knutepunkter i banen for den strøm mellom kilde- og tappeelektrodene av transistoren (lik i funksjon til kollektor / emitter-elektroder av den bipolare transistor). Banen mellom disse forbindelsene, kalt en kanal, blir mer eller mindre ledende ved å variere spenningen på portelektroden. MOSFET skiller seg fra andre FET design etter dens høyere impedans ved porten bly, som krever mye mindre gate strøm for drift.
Channel Nedbryting og Enhancement
Kanalen av en MOSFET er beskrevet som å øke eller tappe av strømmen som føres mellom sluket og kilden. En uttømming-type MOSFET er ansett for å være normalt på, slik at maksimal strøm for å strømme gjennom kanalen. Når spenningen øker ved porten bly, er motstanden i kanalen øker inntil den «pinch-off" spenningen nås, når kanalen er helt lukket. Enhancement-type MOSFET-enheter fungerer i motsatt måte. Strøm ikke flyter fra avløpet til kilden inntil spenningen på gate økes gradvis åpning av kanalen.
N-Type Channel
En n-kanal MOSFET kan være konstruert enten i forbedring eller uttømming format. N-kanal MOSFET uttømming øker motstanden i respons til en økende negativ spenning på porten. En n-kanals forsterkning type-anordning senker motstanden i kanalen i respons til en økende positiv spenning.
P-Type Channel
Den p-kanals MOSFET gir designere med en enhet som fungerer i nøyaktig motsatt måte av n-kanal enhet. En økning i negativ spenning til den p-kanals forsterkning-type MOSFET resulterer i nedsatt motstand i emitter-kanal. P-kanal uttømningsinnretningen reagerer på økende positiv spenning på gate ved økning av kanalmotstanden.