Typer Transistorer og spesifikasjoner
Transistorer brukes vanligvis for en av to programmer: i et AC-signal forsterkere, eller som en elektronisk koblingsmekanisme. Mens den grunnleggende byggemåten for alle transistorene er lik, bevirker hver transistor typen sin oppgave på en annen måte. Hver transistor typen er bedre egnet for en bestemt oppgave heller enn å bli passet like godt for alle oppgaver en transistor kan bli bedt om å utføre.
Transistor materialtyper
En transistor består av minst en "pn" junction. Dette betyr at elektrisk strøm vil flyte fra "p" delen av krysset til "n" delen av krysset. Den "p" og "n" refererer til den type materiale i den del av transistoren.
"P" materiale er halvledermateriale --- vanligvis germanium eller silisium --- sammen med små mengder av bor innføres i halvleder. Denne prosessen kalles doping. "N" materiale er halvledermateriale med små mengder av arsen eller fosfor som innføres i halvleder. Begge materialene bringes sammen for å lage en halvleder.
Junction felt-effekt transistorer
En felteffekttransistor, eller "JFET" for kort, er den eldste type transistor. Denne transistoren ble oppdaget i 1947 av en forskningsteam ved Bell Labs. Denne type transistor har to spesifikke regioner. Det første området kalles "gate" og består av enten "p" og "n" halvledermateriale. Den andre regionen, kalt "kanal" består av den motsatte typen av materiale --- "n" for en "p" gate eller "p" for en "n" gate. Derfor er en JFET kalles en "p-kanal JFET" dersom kanalen er laget av "p" materiale, eller en "n-kanal JFET» hvis det motsatte er tilfelle.
Kanalen på en JFET inneholder to tilkoblinger: ". Drain" "kilden" og En JFET virker på det prinsipp at elektrisk strøm vil strømme mellom kilde- og tappe forbindelser, men kan bli klemt ut av spenning tilført porten bly. Disse transistorene krever lite strøm; men de kan lett bli skadet av statisk elektrisitet eller for mye spenning på gate ledelsen.
Metal Oxide Semiconductor felt-effekt transistorer
Metall-oksid halvleder felteffekt transistorer, også kjent som MOSFET, arbeide på en måte som ligner på JFET. Den "Metal Oxide" i denne type transistor refererer til forbindelsen mellom porten bly og transistoren kanal. En liten film av silisiumdioksid --- den "oksid" delen av navnet --- isolerer metall --- ofte aluminium; men noen ganger polysilisium --- gate bly fra transistor kanal.
MOSFET er først og fremst finnes i datamicrochips og andre applikasjoner hvor en lav spenning, er høyhastighets transistor som kreves.
Bipolar Junction Transistorer
En bipolar junction transistor, eller BJT, er en av de mest brukte typer transistorer. Disse transistorene er mindre utsatt for skade på grunn av statisk elektrisitet, og kan brukes i både lavt strømforbruk og høy strømkretser.
En BJT inneholder to pn veikryss og tre regioner: ". Base" på "collector", heter det "emitter", og Basisområdet er dopet på en annen måte enn kollektor og emitter regioner. Hvis kollektor og emitter regionene er laget av p-type materiale, og basisområdet er laget av n-type materiale, er BJT kalles en "PNP-transistor". Tilsvarende, hvis BJT inneholder et basisområde som består av p-type materiale, er BJT kalles en "NPN-transistor".